MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 123 A, Mejora, DFN de 5 pines

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Código RS:
178-4309
Nº ref. fabric.:
NVMFS6H818NT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

123A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

NVMFS6H818N

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.1 mm

Longitud

5.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.05mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flancos sumergibles disponible para inspección óptica mejorada. Adecuado para automoción.

Características

Tamaño pequeño (5x6 mm)

Baja RDS(on)

Baja QG y capacitancia

NVMFS6H818NWF - Opción de flanco sumergible

Capacidad PPAP

Ventajas

Diseño compacto

Minimiza las pérdidas de conducción

Minimiza las pérdidas de controlador

Inspección óptica mejorada

Aplicaciones

Fuentes de alimentación de conmutación

Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).

Sistemas de 48 V

Productos finales

Control de motor

Convertidor dc/dc

Interruptor de carga

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