MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTPF082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 178-4602
- Nº ref. fabric.:
- NTPF082N65S3F
- Fabricante:
- onsemi
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- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 82mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 16.12mm | |
| Longitud | 10.63mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 82mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 16.12mm | ||
Longitud 10.63mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features
700 V @ TJ = 150 oC
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 70 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 680 pF)
Optimized Capacitance
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Typ. RDS(on) = 70 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge Circuit
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
Solar / UPS
EV charger
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