Nº ref. fabric.

MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NTMFD5C674NLT1G, VDSS 60 V, ID 42 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 178-4629
Nº ref. fabric.:: NTMFD5C674NLT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NTMFD5C674NLT1G, VDSS 60 V, ID 42 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:: 178-4629
Nº ref. fabric.:: NTMFD5C674NLT1G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	42A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	DFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	14.4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	175°C
	Tensión directa Vf	0.9V
	Disipación de potencia máxima Pd	37W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	4.7nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Configuración de transistor	Doble
	Altura	1.05mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	5.1mm
	Anchura	6.1 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 42A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado DFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14.4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 175°C
	Tensión directa Vf 0.9V
	Disipación de potencia máxima Pd 37W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.7nC
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Configuración de transistor Doble
	Altura 1.05mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 5.1mm
	Anchura 6.1 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: MY

MOSFET de alimentación industrial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes con alto rendimiento térmico.

Baja resistencia de encendido

Capacidad de corriente alta

Tamaño pequeño (5 x 6 mm)

Ventajas

Mínimas pérdidas de conducción

Rendimiento de carga resistente

Diseño compacto

Aplicaciones

Control de motor

Regulador dc a dc síncrono

Interruptores de alimentación (controlador de lado alto, controlador de lado bajo, puentes H, etc.)

Protección y gestión de la batería

Productos finales

Paquetes de baterías

Fuentes de alimentación

Drones giratorios

Herramientas eléctricas

Alimentación a través de Ethernet (PoE)

MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NTMFD5C674NLT1G, VDSS 60 V, ID 42 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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