MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.17 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 178-5070
- Nº ref. fabric.:
- BSP315PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 178-5070
- Nº ref. fabric.:
- BSP315PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Tensión directa Vf | -0.97V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Tensión directa Vf -0.97V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie SIPMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP315PH6327XTSA1
Este MOSFET es un transistor de modo de mejora de canal P diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en contextos industriales y de automoción. Ofrece capacidad de manejo de corriente y tensión moderadas para conmutación de carga y protección contra polaridad inversa en conjuntos compactos, y es adecuado para entornos que requieren un funcionamiento a temperaturas ampliadas.
Características y ventajas:
• Valor nominal de drenaje-fuente de 60 V para capacidad de conmutación de tensión media
• Corriente de drenaje continua de 1,17 A para suministro de potencia de señal pequeña
• RDS(on) máximo de 800 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Carga de puerta típica de 5,2 nC para un accionamiento de puerta eficiente
• Disipación de potencia de 1,8 W que permite un funcionamiento de baja potencia sostenido
• Certificación AEC-Q101 de tolerancia a la tensión de grado automovilístico
• Corriente de drenaje continua de 1,17 A para suministro de potencia de señal pequeña
• RDS(on) máximo de 800 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Carga de puerta típica de 5,2 nC para un accionamiento de puerta eficiente
• Disipación de potencia de 1,8 W que permite un funcionamiento de baja potencia sostenido
• Certificación AEC-Q101 de tolerancia a la tensión de grado automovilístico
Aplicaciones
• Adecuado para la conmutación de carga de gestión de baterías en vehículos
• Ideal para la protección contra polaridad inversa en electrónica de automoción
• Se utiliza con convertidores dc/dc de baja potencia para conmutación de lado alto
• Puede utilizarse para desconectar la carga en módulos de telemática
• Adecuado para placas de control de potencia compactas que requieren montaje en superficie
• Ideal para la protección contra polaridad inversa en electrónica de automoción
• Se utiliza con convertidores dc/dc de baja potencia para conmutación de lado alto
• Puede utilizarse para desconectar la carga en módulos de telemática
• Adecuado para placas de control de potencia compactas que requieren montaje en superficie
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C para adaptarse a entornos de alta temperatura.
¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza?
El dispositivo se suministra en un encapsulado SOT-223 y está diseñado para montaje en superficie.
¿Cuántos contactos están disponibles para conexiones de circuito?
Proporciona cuatro contactos para alojar disposiciones de fuente, drenaje, puerta y montaje/contacto.
¿Qué tensión de puerta máxima debe observarse durante el uso?
La tensión de fuente de puerta no debe superar 20 V para evitar la tensión del dispositivo.
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