MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSP315PH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 1.17 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 826-9238
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-415
- Nº ref. fabric.:
- BSP315PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 50 unidades)*
23,25 €
(exc. IVA)
28,15 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 9700 unidad(es) más para enviar a partir del 09 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,465 € | 23,25 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 826-9238
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-415
- Nº ref. fabric.:
- BSP315PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -0.97V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -0.97V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines