MOSFET Infineon BSP315PH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 1,17 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS^® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS

Las familias OptiMOS Infineon BSP315P incluyen MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las demandas más altas de calidad y rendimiento en especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como resistencia en estado y características de figura de mérito.

Canal P.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Nivel de lógica

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.