MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 178-5073
- Nº ref. fabric.:
- BSP613PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 178-5073
- Nº ref. fabric.:
- BSP613PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 130mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 10.8W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 40mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 40mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 130mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 10.8W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 40mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 40mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie SIPMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 2,9 A - BSP613PH6327XTSA1
Este MOSFET es un transistor de modo de mejora de canal P diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en entornos exigentes. Proporciona conmutación controlada por puerta para sistemas industriales y de automoción, y ofrece una combinación de gestión de corriente moderada y tolerancia a la temperatura para admitir un funcionamiento a temperaturas elevadas y diseños de placa compactos.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje-fuente de 60 V permite la conmutación de tensión media
• La corriente de drenaje continua de 2,9 A permite un suministro de carga constante
• La Rds(on) máxima de 130 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 22 nC simplifica el tamaño de la unidad de puerta
• La disipación de potencia máxima de 10.8 W permite un manejo de potencia sostenido
• El rango de funcionamiento de -55 °C a 175 °C se adapta a amplios extremos de temperatura
• La corriente de drenaje continua de 2,9 A permite un suministro de carga constante
• La Rds(on) máxima de 130 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 22 nC simplifica el tamaño de la unidad de puerta
• La disipación de potencia máxima de 10.8 W permite un manejo de potencia sostenido
• El rango de funcionamiento de -55 °C a 175 °C se adapta a amplios extremos de temperatura
Aplicaciones
• Adecuado para conmutación de carga en electrónica de automoción
• Ideal para circuitos de control industriales de alta temperatura
• Se utiliza con reguladores de potencia compactos en diseños de montaje en superficie
• Puede utilizarse para disposiciones de protección contra polaridad y corriente inversa
• Se utiliza para funciones de gestión de baterías de corriente baja a moderada
• Ideal para circuitos de control industriales de alta temperatura
• Se utiliza con reguladores de potencia compactos en diseños de montaje en superficie
• Puede utilizarse para disposiciones de protección contra polaridad y corriente inversa
• Se utiliza para funciones de gestión de baterías de corriente baja a moderada
¿Qué estilo de montaje se requiere para el montaje?
Utiliza un encapsulado de montaje en superficie de 4 contactos SOT-223 compatible con procesos de reflujo SMT estándar y huellas de diseño de PCB comunes.
¿Qué límites de tensión de puerta deben observar los diseñadores?
La tensión máxima admisible de puerta a fuente es de 20 V, por lo que los circuitos de accionamiento de puerta deben permanecer dentro de este umbral para evitar la tensión del dispositivo.
¿Cómo afecta la tensión directa al diseño del sistema?
La tensión directa de aproximadamente 1,1 V informa los cálculos de pérdida de potencia durante la conducción y ayuda a determinar las necesidades de gestión térmica en la aplicación.
¿Es este dispositivo adecuado para proyectos de automoción?
Cumple los criterios AEC-Q101, lo que lo convierte en adecuado para muchas implementaciones de módulos electrónicos de automoción.
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