MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 178-5073
- Nº ref. fabric.:
- BSP613PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,45 € | 450,00 € |
| 2000 - 2000 | 0,439 € | 439,00 € |
| 3000 + | 0,428 € | 428,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-5073
- Nº ref. fabric.:
- BSP613PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 130mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 10.8W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 40 mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 40mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 130mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 10.8W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 40 mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 40mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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