MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSP613PH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
892-2236
Número de artículo Distrelec:
304-44-417
Nº ref. fabric.:
BSP613PH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SIPMOS

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

130mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

10.8W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

40 mm

Altura

1.5mm

Longitud

40mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®


Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)

· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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