MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP320SH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 10 unidades)*

6,59 €

(exc. IVA)

7,97 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Disponible(s) 50 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
  • Última(s) 300 unidad(es) para enviar desde el 02 de febrero de 2026
Unidad(es)
Por unidad
Por Tira*
10 - 900,659 €6,59 €
100 - 2400,626 €6,26 €
250 - 4900,599 €5,99 €
500 - 9900,574 €5,74 €
1000 +0,534 €5,34 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
753-2810
Nº ref. fabric.:
BSP320SH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-223

Serie

SIPMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

120mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.8W

Tensión directa Vf

0.95V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.5 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

1.6mm

Longitud

6.5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Enlaces relacionados