MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 178-7445
- Nº ref. fabric.:
- IPB010N06NATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
3.001,00 €
(exc. IVA)
3.631,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 3,001 € | 3.001,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-7445
- Nº ref. fabric.:
- IPB010N06NATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 208nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 9.45mm | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Anchura | 4.57mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 208nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 9.45mm | ||
Longitud 10.31mm | ||
Anchura 4.57mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
MOSFET de la serie OptiMOS 5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 60 V, corriente de drenaje continua de 180 A - IPB010N06NATMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta corriente diseñado para conmutación de potencia en aplicaciones de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para entornos eléctricos exigentes donde se requieren bajas pérdidas por conducción y un control de puerta robusto.
Características y ventajas:
• Valor nominal de drenaje de 60 V que permite capacidades de conmutación de tensión media
• Rds(on) de 1,5 mΩ que reduce las pérdidas de conducción para vías de alta corriente
• Corriente de drenaje continua de 180 A que admite altas demandas de carga
• Disipación de potencia máxima de 300 W que permite una carga térmica sostenida
• Carga de puerta típica de 208 nC que permite un comportamiento de conmutación predecible
• Tensión de fuente de puerta máxima de 20 V que protege los límites de accionamiento de puerta
• Rds(on) de 1,5 mΩ que reduce las pérdidas de conducción para vías de alta corriente
• Corriente de drenaje continua de 180 A que admite altas demandas de carga
• Disipación de potencia máxima de 300 W que permite una carga térmica sostenida
• Carga de puerta típica de 208 nC que permite un comportamiento de conmutación predecible
• Tensión de fuente de puerta máxima de 20 V que protege los límites de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Apto para convertidores dc-dc de alta corriente en sistemas de alimentación
• Ideal para servidores y módulos de distribución de potencia de telecomunicaciones
• Se utiliza con controladores de motor que requieren interruptores de baja resistencia de encendido
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y el acondicionamiento de potencia
• Adecuado para etapas de potencia de uso general en electrónica industrial
• Ideal para servidores y módulos de distribución de potencia de telecomunicaciones
• Se utiliza con controladores de motor que requieren interruptores de baja resistencia de encendido
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y el acondicionamiento de potencia
• Adecuado para etapas de potencia de uso general en electrónica industrial
¿Qué rango térmico puede soportar el dispositivo durante el funcionamiento?
Funciona entre -55 °C y 175 °C, lo que permite su uso en entornos de arranque en frío y alto calor.
¿Cómo se va a montar en una placa?
El componente se suministra en un encapsulado TO-263 diseñado para colocación de montaje en superficie y soldadura.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta deben observarse?
La puerta no debe superar los 20 V Vgs y la carga de puerta típica de 208 nC debe tenerse en cuenta al dimensionar los controladores para cumplir los objetivos de velocidad de conmutación y pérdida.
¿Qué tensión directa es relevante durante la conducción de diodo de cuerpo?
La tensión de conducción directa es de aproximadamente 1,2 V y debe incluirse en los cálculos de pérdida para eventos de corriente inversa.