MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

3.001,00 €

(exc. IVA)

3.631,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponibilidad de stock no accesible
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1000 +3,001 €3.001,00 €

*precio indicativo

Código RS:
178-7445
Nº ref. fabric.:
IPB010N06NATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

208nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.57 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.31mm

Altura

9.45mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET de potencia Infineon OptiMOSTM5


OptiMOSTM 5 60 V está optimizado para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS), como las que se encuentran en servidores y ordenadores de sobremesa y cargador de tableta. Además, estos dispositivos son una elección perfecta para una amplia gama de aplicaciones industriales, incluido el control de motores, el microinversor solar y el convertidor dc-dc de conmutación rápida.

Resumen de las características


  • Optimizado para rectificación síncrona

  • R un 40 % inferior DS(on) que dispositivos alternativos

  • Mejora del 40% de la FOM en comparación con dispositivos similares

  • Conforme a RoHS - sin halógenos

  • Calificación MSL1

  • Optimizado para rectificación síncrona

  • 100% probado con avalancha

  • Superior resistencia térmica

  • Canal N, nivel normal

  • Calificación conforme a JEDEC1) para aplicaciones de destino

  • Chapado de cable sin plomo; conforme con RoHS

  • Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21

    • Ventajas


  • Eficiencia del sistema más alta

  • Menos paralelismo necesario

  • Mayor densidad de potencia

  • Reducción de costes del sistema

  • Sobrecarga de tensión muy baja

    • Aplicaciones potenciales


  • Rectificación síncrona

  • Microinversor solar

  • Convertidores dc-dc aislados

  • Control de motor para sistemas de 12-48 V

  • Interruptores or-ing

    • MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon


    Transistores MOSFET, Infineon


    Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

    Enlaces relacionados