MOSFET Vishay SQJ457EP-T1_GE3

El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal P, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 6,7mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 375W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• Interruptores adaptadores
• Interruptores primarios DC/DC
• Interruptores de carga
• Gestión de alimentación

• Certificación AEC-Q101
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado
• UIS probado