MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SQJ488EP-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 42 A, PowerPAK SO-8L de 8 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
180-8020
Nº ref. fabric.:
SQJ488EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

42A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK SO-8L

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.021Ω

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Simple

Anchura

6.25 mm

Altura

1.14mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

5.25mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El Vishay SQJ457EP es un MOSFET de temperatura de conexión máxima de 175 °C de canal N de automoción que tiene una tensión de drenaje a fuente (VDS) de 100V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20V V. Tiene encapsulado Power PAK SO-8L. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,021ohms a 10VGS y 0,0258ohms a 4,5VGS. Corriente de drenaje máxima: 42A A.

MOSFET de potencia Trench FET

Certificación AEC-Q101

100 % Rg y UIS probados

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