MOSFET Vishay IRLR110PBF

El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-252-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 10V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 540mohm a una tensión de fuente de puerta de 5V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 25W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Disponible en cinta y carrete
• Índice dv/dt dinámico
• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• Controlador de puerta nivel lógico
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• RDS (ON) especificada con VGS es de 4V V y 5V A.
• avalancha repetitiva

• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)