MOSFET Vishay, N-Canal SIHA22N60E-E3, VDSS 600 V, ID 21 A, TO-220, config. Simple
- Código RS:
- 180-7900
- Nº ref. fabric.:
- SIHA22N60E-E3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-7900
- Nº ref. fabric.:
- SIHA22N60E-E3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.18Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 35W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 86nC | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 13.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 10.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.18Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 35W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 86nC | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 13.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 10.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El Vishay SIHA22N60E es un MOSFET de potencia de canal N serie E con tensión de drenaje a fuente (VDS) de 600V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 30V V. Dispone de encapsulado Thin-Lead TO-220 FULLPAK. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,18ohms a 10VGS. Corriente de drenaje máxima: 8A A.
Figura baja de mérito (FOM) Ron x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Menores pérdidas por conmutación y conducción
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