MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 500 V, ID 5 A de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
180-8670
Nº ref. fabric.:
IRF830ALPBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Tensión directa Vf

1.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

74W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Longitud

9.65mm

Certificaciones y estándares

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Altura

4.83mm

Anchura

10.67 mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET de Vishay es un encapsulado de canal N, el TO-263-3 es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 500 V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30 V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 1,4 mohm a una tensión de fuente de puerta de 10 V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 74 W. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida útil larga y productiva sin comprometer el rendimiento o la funcionalidad.

Características y ventajas


• Capacitancia y tensión de avalancha y corriente completamente caracterizadas

• Sin halógenos

• Puerta mejorada, avalancha y dV/dt dinámico

• Componente sin plomo (Pb)

• La carga Qg de puerta baja resulta en un requisito de accionamiento sencillo

• Rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones


• Conmutación de alimentación de alta velocidad

• Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)

• Fuentes de alimentación ininterrumpida

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