MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRF530SPBF, VDSS 100 V, ID 14 A, TO-263 de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8828
- Nº ref. fabric.:
- IRF530SPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8828
- Nº ref. fabric.:
- IRF530SPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.16Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 88W | |
| Tensión directa Vf | 2.5V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Longitud | 9.65mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.16Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 88W | ||
Tensión directa Vf 2.5V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Longitud 9.65mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 160mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 88W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Disponible en cinta y carrete
• Índice dv/dt dinámico
• Facilidad de conexión en paralelo
• Cambio rápido
• Libre de halógenos
• Componente sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• avalancha repetitiva
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
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