MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 20 V, ID 150 A, Mejora, PowerDI5060 de 8 pines
- Código RS:
- 182-6906
- Nº ref. fabric.:
- DMP2003UPS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
1.270,00 €
(exc. IVA)
1.537,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,508 € | 1.270,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 182-6906
- Nº ref. fabric.:
- DMP2003UPS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | PowerDI5060 | |
| Serie | DMP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 80W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 177nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.05mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado PowerDI5060 | ||
Serie DMP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 80W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 177nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.05mm | ||
Longitud 6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
This new generation MOSFET is designed to minimize RDS(ON) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and load switch.
Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications
High Conversion Efficiency
Low RDS(ON) – Minimizes On State Losses
<1.1mm Package Profile – Ideal for Thin Applications
Lead-free finish
Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Application
Switch
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, PowerDI5060 de 8 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, PowerDI5060-8
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, PowerDI5060-8
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, PowerDI5060-8
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerDI5060 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerDI5060 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerDI5060 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerDI5060 de 8 pines