MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS6D1N08HT1G, VDSS 80 V, ID 89 A, Mejora, DFN de 5 pines

Subtotal (1 paquete de 6 unidades)*

8,118 €

(exc. IVA)

9,822 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 13.500 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
6 +1,353 €8,12 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
185-9150
Nº ref. fabric.:
NVMFS6D1N08HT1G
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

89A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

DFN

Serie

NVMFS6D1N08H

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.05mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.1mm

Anchura

6.1 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No cumple

COO (País de Origen):
MY
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

NVMFSW6D1N08H - Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection

PPAP capable

These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free

Typical Applications

Synchronous Rectification

AC/DC and DC/DC Power Supplies

AC/DC Adapters (USB PD) SR

Load Switch

Enlaces relacionados