MOSFET, N-Canal Vishay SIHW21N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 17.4 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
188-4880
Nº ref. fabric.:
SIHW21N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

17.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

SiHW21N80AE

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

235mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

32W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.31mm

Longitud

16.26mm

Altura

21.46mm

Estándar de automoción

No

E Serie Power MOSFET.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Capacitancia efectiva baja (Co(er))

Menores pérdidas por conmutación y conducción

APLICACIONES

Fuentes de alimentación de servidores y equipos de telecomunicaciones

Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)

Fuentes de alimentación con corrección de factor de potencia (PFC)

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