MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
188-4914
Nº ref. fabric.:
SQD50034E_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0039Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

90nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

107W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.41mm

Anchura

9.65 mm

Altura

4.57mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

Automotriz N-Canal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET

MOSFET de potencia TrenchFET®

Encapsulado con baja resistencia térmica

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