MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
223-8517
Nº ref. fabric.:
IPD50N06S409ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

0.95V

Disipación de potencia máxima Pd

71W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 50 A - IPD50N06S409ATMA2


Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de montaje en superficie diseñado para controlar la potencia en sistemas electrónicos que requieren un manejo de alta corriente y tensión moderada. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos térmicos exigentes y está diseñado para su uso donde se requiere una conmutación y una gestión de potencia eficientes.

Características y ventajas:


• La baja resistencia de encendido reduce las pérdidas por conducción durante el funcionamiento con alta corriente
• La alta capacidad de drenaje continuo admite corrientes sostenidas de 50 A
• El valor nominal de drenaje-fuente de 60 V permite etapas de potencia de tensión media
• La disipación de potencia de 71 W permite manejar cargas térmicas elevadas
• La carga de puerta típica de 17 nC permite transiciones de conmutación relativamente rápidas
• La tolerancia de puerta de 20 V admite tensiones de accionamiento de puerta más altas

Aplicaciones


• Adecuado para etapas de conmutación de convertidor reductor síncrono
• Ideal para etapas de potencia de motor-controlador en controladores industriales
• Se utiliza con sistemas de gestión de baterías que requieren un manejo de alta corriente
• Puede utilizarse para la conversión de potencia dc-dc en equipos de telecomunicaciones
• Adecuado para módulos de distribución de potencia en conjuntos de montaje en superficie

¿Cuál es el rango de accionamiento de puerta permitido del dispositivo?


La puerta se puede accionar hasta 20 V entre la puerta y la fuente sin exceder su límite de tensión de puerta.

¿Cómo afecta el rango térmico al despliegue en entornos hostiles?


Sigue funcionando entre −55 °C y 175 °C, por lo que puede funcionar en aplicaciones de temperatura amplia donde se producen extremos térmicos.

¿Qué método de embalaje y montaje utiliza para el montaje?


Se suministra en un encapsulado TO-252 diseñado para colocación de montaje en superficie en conjuntos.

¿Qué característica de conducción indica la eficiencia durante el estado activado?


Una resistencia máxima de drenaje a fuente de 9 mΩ minimiza la caída de tensión y las pérdidas de conducción a altas corrientes.

¿Cómo afecta la tensión directa a las etapas de potencia de baja tensión?


una tensión directa de 0,95 V limita la caída de tensión adicional en el dispositivo durante la conducción, lo que contribuye a la eficiencia.

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