MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SQ1922AEEH-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 850 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
188-5029
Nº ref. fabric.:
SQ1922AEEH-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

850mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

US

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

530mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.9nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.2mm

Altura

1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Automotriz Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET.

MOSFET de potencia TrenchFET®

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