MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SQ4946CEY-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 7 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
228-2946
Nº ref. fabric.:
SQ4946CEY-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

4W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El canal N doble de automoción TrenchFET de Vishay es un MOSFET de alimentación.

100 % Rg y UIS probados

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