MOSFET Vishay, N-Canal SQJ264EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 54 A, SO-8, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
204-7237
Nº ref. fabric.:
SQJ264EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

54A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

SQJ264EP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.82V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

48W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Anchura

4.37mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

4.9mm

Altura

1.07mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de canal N doble de automoción Vishay 60 V (D-S) 175 °C están optimizados para aplicaciones de reductor síncrono. Tiene certificación AEC-Q101.

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