MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SQJ264EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 54 A, SO-8, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
204-7238
Nº ref. fabric.:
SQJ264EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

54A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SQJ264EP

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.82V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.2nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

48W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

4.9mm

Altura

1.07mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.37 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de canal N doble de automoción Vishay 60 V (D-S) 175 °C están optimizados para aplicaciones de reductor síncrono. Tiene certificación AEC-Q101.

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