MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SQJ208EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 60 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

11,80 €

(exc. IVA)

14,30 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 27 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 901,18 €11,80 €
100 - 2401,121 €11,21 €
250 - 4900,944 €9,44 €
500 - 9900,768 €7,68 €
1000 +0,649 €6,49 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
188-5101
Nº ref. fabric.:
SQJ208EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

16mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.77V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Disipación de potencia máxima Pd

48W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.47 mm

Altura

1.01mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Automotriz Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFETs.

MOSFET de potencia TrenchFET®

Enlaces relacionados