MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SQJ208EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 60 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
188-5101
Nº ref. fabric.:
SQJ208EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

16mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.77V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

48W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Longitud

5mm

Altura

1.01mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Automotriz Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFETs.

MOSFET de potencia TrenchFET®

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