MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SQJ912DEP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 30 A, SO-8, Mejora de 4 pines, 2, config. Doble

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
210-5049
Nº ref. fabric.:
SQJ912DEP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

27W

Tensión directa Vf

0.79V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1.07mm

Anchura

4.37 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

4.9mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal N doble de automoción de 40 V (D-S) 175 °C Vishay tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8L.

MOSFET de potencia TrenchFET®

Certificación AEC-Q101

100 % RG y prueba UIS

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