MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SQUN702E-T1_GE3, VDSS 200 V, ID 30 A, Trío, Mejora de 10 pines, 3, config. Drenaje

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Código RS:
188-5065
Nº ref. fabric.:
SQUN702E-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

Trío

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

10

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

175°C

Tensión directa Vf

0.79V

Configuración de transistor

Drenaje común

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

3

Estándar de automoción

AEC-Q101

Par de MOSFET de 40 V N y P-Channel Automotor y MOSFET de 200 V N-Channel.

Paquete triple dado optimizado

MOSFET de potencia TrenchFET®

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