MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SQUN702E-T1_GE3, VDSS 200 V, ID 30 A, Trío, Mejora de 10 pines, 3, config. Drenaje

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
188-5065
Nº ref. fabric.:
SQUN702E-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

Trío

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

10

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

175°C

Tensión directa Vf

0.79V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Configuración de transistor

Drenaje común

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

3

Estándar de automoción

AEC-Q101

Par de MOSFET de 40 V N y P-Channel Automotor y MOSFET de 200 V N-Channel.

Paquete triple dado optimizado

MOSFET de potencia TrenchFET®

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