MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SQUN702E-T1_GE3, VDSS 200 V, ID 30 A, Trío, Mejora de 10 pines, 3, config. Drenaje
- Código RS:
- 188-5065
- Nº ref. fabric.:
- SQUN702E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 188-5065
- Nº ref. fabric.:
- SQUN702E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | Trío | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 10 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 0.79V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 60W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Drenaje común | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 3 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado Trío | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 10 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 0.79V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 60W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 175°C | ||
Configuración de transistor Drenaje común | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 3 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET serie TrenchFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 200 V, corriente de drenaje continua máxima de 30 A - SQUN702E-T1_GE3
Este MOSFET es una familia de transistores de potencia de montaje en superficie diseñada para conmutación de alta tensión en sistemas de control industrial y de automoción. Combina elementos de canal P y N en una configuración de matriz triple de drenaje común para admitir topologías complejas de gestión de potencia al tiempo que funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes.
Características y ventajas:
• Valor nominal de drenaje de 200 V que permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • Corriente de drenaje continua de 30 A que admite corrientes de carga sustanciales • Disipación de potencia de 60 W para un funcionamiento de alta potencia sostenido • Temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C que permite márgenes térmicos elevados • tolerancia de puerta de 20 V que admite tensiones de accionamiento de puerta estándar • Carga de puerta típica de 23 nC que permite un rendimiento de conmutación predecible
Aplicaciones
• Apto para circuitos de distribución de potencia y accionamiento de motores de automoción • Ideal para etapas de conversión dc-dc de alta tensión en vehículos • Se utiliza para fuentes de alimentación de modo conmutado en automatización industrial • Puede utilizarse para conmutación de carga y protección en sistemas eléctricos • Se utiliza con topologías de varios elementos que requieren canales P y N combinados
¿Qué entorno térmico puede soportar para un funcionamiento prolongado?
Está diseñado para funcionar hasta 175 °C, con un límite ambiente inferior de -55 °C para escenarios de arranque en frío.
¿Cómo se adapta el dispositivo a diseños de circuitos de canal mixto?
La configuración de drenaje común de matriz triple integra elementos de canal P y N en un único encapsulado para simplificar la disposición en disposiciones de conmutación complementarias.
¿Qué consideraciones de montaje se aplican al montaje de PCB?
Se suministra como un componente de montaje en superficie en un encapsulado de 10 contactos, lo que permite un montaje automatizado y una colocación de placa compacta.
¿Qué límites eléctricos deben respetar los diseñadores para los terminales de puerta y drenaje?
La tensión máxima de fuente de puerta es de 20 V y la tensión máxima de fuente de drenaje es de 200 V para evitar sobretensión del dispositivo.
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