MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB45N30M5, VDSS 300 V, ID 53 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 192-4977
- Nº ref. fabric.:
- STB45N30M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
14,02 €
(exc. IVA)
16,96 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 22 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 7,01 € | 14,02 € |
| 10 - 18 | 6,59 € | 13,18 € |
| 20 - 48 | 6,22 € | 12,44 € |
| 50 - 98 | 5,90 € | 11,80 € |
| 100 + | 5,605 € | 11,21 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 192-4977
- Nº ref. fabric.:
- STB45N30M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 53A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 300V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.04Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±25 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 95nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.35 mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 4.37mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 53A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 300V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.04Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±25 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 95nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.35 mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 4.37mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este dispositivo es un MOSFET de potencia de canal N basado en la innovadora tecnología de proceso vertical MDmesh™ M5 combinada con el conocido diseño horizontal PowerMESH™. El producto resultante ofrece una resistencia extremadamente baja, lo que lo hace particularmente adecuado para aplicaciones que requieren una alta potencia y una eficiencia superior.
RDS (encendido) extremadamente bajo
Carga de puerta baja y capacitancia de entrada
Excelente rendimiento de conmutación
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 300 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, ISOTOP de 4 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, ISOTOP de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, ACEPACK SMIT de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines