MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 300 V, ID 53 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
192-4651
Nº ref. fabric.:
STB45N30M5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

53A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

300V

Serie

MDmesh M5

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.04Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

95nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±25 V

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.4mm

Anchura

9.35 mm

Altura

4.37mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
Este dispositivo es un MOSFET de potencia de canal N basado en la innovadora tecnología de proceso vertical MDmesh™ M5 combinada con el conocido diseño horizontal PowerMESH™. El producto resultante ofrece una resistencia extremadamente baja, lo que lo hace particularmente adecuado para aplicaciones que requieren una alta potencia y una eficiencia superior.

RDS (encendido) extremadamente bajo

Carga de puerta baja y capacitancia de entrada

Excelente rendimiento de conmutación

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