MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMJS1D5N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 200 A, Mejora, LFPAK de 8 pines

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Código RS:
195-2509
Nº ref. fabric.:
NVMJS1D5N04CLTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

200A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

NVMJS1D5N04CL

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

70nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.15mm

Anchura

4.9 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

Encapsulado Lfpak8, Estándar Del Sector

Capacidad PPAP

Estos dispositivos no contienen plomo

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