MOSFET onsemi FCHD190N65S3R0-F155OS, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-247AD de 3 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Producto Descatalogado

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-247AD
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	190 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	144 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
Ancho	5.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	33 a 10 V NC
Longitud	16.25mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	21.34mm