MOSFET, N-Canal onsemi NTMFSC0D9N04CL, VDSS 40 V, ID 313 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 195-2664
- Nº ref. fabric.:
- NTMFSC0D9N04CL
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
16,36 €
(exc. IVA)
19,80 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 04 de octubre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,636 € | 16,36 € |
| 100 - 240 | 1,411 € | 14,11 € |
| 250 + | 1,223 € | 12,23 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 195-2664
- Nº ref. fabric.:
- NTMFSC0D9N04CL
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 313A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 850μΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 143nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5mm | |
| Longitud | 5.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.95mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 313A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 850μΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 143nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5mm | ||
Longitud 5.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.95mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET de canal N se fabrica mediante el proceso Advanced Power Trench® DE ON Semiconductor. Se han combinado los avances en las tecnologías de encapsulado de silicio y Dual Cool™ para ofrecer el RDS(on) más bajo al tiempo que se mantiene un excelente rendimiento de conmutación gracias a la resistencia térmica extremadamente baja de conexión a ambiente.
Parte Top y parte inferior expuestas en configuración de pines 5x6mm estándar
Disipación térmica mejorada a través de Top y Bottom Side del encapsulado
RDS(on) ultrabajo
Pérdida de conducción reducida
Capacitancias reducidas e inductancia de encapsulado
Pérdida de conmutación reducida
Aplicación
Rectificador síncrono en fuentes de alimentación ac-dc y dc-dc
Interruptor Del Motor
Interruptor de carga
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 5 pines