MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 313 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 195-2663
- Nº ref. fabric.:
- NTMFSC0D9N04CL
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,917 € | 2.751,00 € |
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- Código RS:
- 195-2663
- Nº ref. fabric.:
- NTMFSC0D9N04CL
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 313A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 850μΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 143nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5mm | |
| Altura | 0.95mm | |
| Longitud | 5.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 313A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 850μΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 143nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5mm | ||
Altura 0.95mm | ||
Longitud 5.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET de canal N se fabrica mediante el proceso Advanced Power Trench® DE ON Semiconductor. Se han combinado los avances en las tecnologías de encapsulado de silicio y Dual Cool™ para ofrecer el RDS(on) más bajo al tiempo que se mantiene un excelente rendimiento de conmutación gracias a la resistencia térmica extremadamente baja de conexión a ambiente.
Parte Top y parte inferior expuestas en configuración de pines 5x6mm estándar
Disipación térmica mejorada a través de Top y Bottom Side del encapsulado
RDS(on) ultrabajo
Pérdida de conducción reducida
Capacitancias reducidas e inductancia de encapsulado
Pérdida de conmutación reducida
Aplicación
Rectificador síncrono en fuentes de alimentación ac-dc y dc-dc
Interruptor Del Motor
Interruptor de carga
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