MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 313 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 195-8977
- Nº ref. fabric.:
- NVMFSC0D9N04C
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 195-8977
- Nº ref. fabric.:
- NVMFSC0D9N04C
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 313A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.87mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 166W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 86nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.1mm | |
| Altura | 6.25mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 313A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.87mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 166W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 86nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.1mm | ||
Altura 6.25mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal N de potencia de refrigeración doble de on Semiconductor en un encapsulado de cable plano 5x6mm diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. En esta opción de flanco sumergible disponible para una inspección óptica mejorada.
Encapsulado Advanced refrigerado por dos caras de−
Tamaño pequeño para un diseño compacto
RDS(on) ultrabaja para minimizar las pérdidas de conducción
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
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