MOSFET, N-Canal onsemi NVMFSC0D9N04C, VDSS 40 V, ID 313 A, Mejora, DFN de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
195-8978
Nº ref. fabric.:
NVMFSC0D9N04C
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

313A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.87mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

166W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

86nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

0.95mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.1mm

Altura

6.25mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal N de potencia de refrigeración doble de on Semiconductor en un encapsulado de cable plano 5x6mm diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. En esta opción de flanco sumergible disponible para una inspección óptica mejorada.

Encapsulado Advanced refrigerado por dos caras de−

Tamaño pequeño para un diseño compacto

RDS(on) ultrabaja para minimizar las pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

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