MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiZ250DT-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 38 A, PowerPAIR de 3 x 3FDC, Mejora de 8 pines, 2, config.

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Código RS:
200-6873
Nº ref. fabric.:
SiZ250DT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

38A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAIR de 3 x 3FDC

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.01887Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.3 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.3mm

Altura

0.75mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El Vishay SiZ250DT-T1-GE3 es un MOSFET de canal N doble 60V (D-S).

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

100 % Rg y prueba UIS

La relación QGS/QGS optimizada mejora la conmutación

Características

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