Módulos MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STWA65N60DM6, VDSS 600 V, ID 38 A, TO-247, Reducción de 3 pines

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Código RS:
202-5550
Nº ref. fabric.:
STWA65N60DM6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Módulos MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

38A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

ST

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.06Ω

Modo de canal

Reducción

El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmeshTM DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles en el mercado.

100 % a prueba de avalancha

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