MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 650 V, ID 68 A, TO-247, Reducción de 3 pines

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Código RS:
202-5554
Nº ref. fabric.:
STWA70N65DM6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

68A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

ST

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.036Ω

Modo de canal

Reducción

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

125nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

450W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

41.2mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.1 mm

Longitud

15.9mm

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado.

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