MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STWA70N65DM6, VDSS 650 V, ID 68 A, TO-247, Reducción de 3 pines
- Código RS:
- 202-5555
- Nº ref. fabric.:
- STWA70N65DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 202-5555
- Nº ref. fabric.:
- STWA70N65DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 68A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | ST | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.036Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 125nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 450W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Altura | 41.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 68A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie ST | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.036Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 125nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 450W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.1 mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Altura 41.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado.
100 % a prueba de avalancha
Protección Zener
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