MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHG026N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 95 A, Reducción, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 239-8629
- Nº ref. fabric.:
- SIHG026N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
13,91 €
(exc. IVA)
16,83 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 495 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 13,91 € |
| 5 - 9 | 13,08 € |
| 10 - 24 | 12,06 € |
| 25 - 49 | 11,74 € |
| 50 + | 11,44 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 239-8629
- Nº ref. fabric.:
- SIHG026N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 95A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.023Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 521W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 95A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.023Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 521W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 95 A - SIHG026N60EF-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para entornos de electrónica de potencia exigentes, especialmente en sistemas industriales y de automoción. Funciona como un dispositivo de canal de agotamiento de tipo N en un encapsulado de superficie de orificio pasante adecuado para ingenieros que requieren un rendimiento térmico y eléctrico robusto en un amplio rango de temperaturas.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 650 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 95 A admite la manipulación de cargas pesadas • La Rds(on) de 0,023 Ω reduce las pérdidas de conducción bajo carga • La disipación de potencia de 521 W permite un rendimiento térmico sostenido • La carga de puerta típica de 63 nC ofrece un comportamiento de conmutación predecible • La tolerancia de puerta de 30 V garantiza la compatibilidad con tensiones de accionamiento comunes
Aplicaciones
• Apto para etapas de inversor de tracción en la electrónica de transmisión de vehículos • Ideal para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión • Se utiliza para conjuntos de conmutación de accionamiento de motor industriales • Puede utilizarse para la conversión dc-dc de alta corriente en sistemas de automatización
¿Qué estilo de montaje utiliza este dispositivo y por qué importa?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-247AC que facilita un disipador térmico seguro y una conexión sencilla de PCB o disipador térmico para una gestión térmica eficiente.
¿Cómo se comporta el dispositivo en temperaturas extremas?
El transistor está diseñado para funcionar de -55 a +150 °C, lo que permite su uso en condiciones ambientales hostiles y carcasas de alta temperatura.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta deben observarse?
El Vgs máximo es de 30 V
los diseñadores deben asegurarse de que los controladores de puerta no superan este nivel para evitar sobretensión de puerta y garantizar una conmutación fiable.
¿Qué norma se refiere a su idoneidad para uso en automoción?
Cumple el estándar de automoción AEC-Q101, lo que indica que ha sido calificado para aplicaciones electrónicas de vehículos bajo esa especificación.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Reducción, TO-247 de 3 pines
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 650 V Hip-247, Reducción de 3 pines
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 650 V TO-247, Reducción de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Reducción, TO-263 de 3 pines
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 650 V H2PAK, Reducción de 7 pines
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 650 V TO-247, Reducción de 3 pines
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 650 V Hip-247, Reducción de 3 pines
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 650 V TO-247, Reducción de 3 pines