MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG026N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 95 A, Reducción, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
239-8629
Nº ref. fabric.:
SIHG026N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

95A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

EF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.02Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

521W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

La serie EF de Vishay es un MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido. Este MOSFET se utiliza para fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones, soldaduras y controladores de motor.

Tecnología de la serie E de 4ª generación

Capacitancia efectiva baja

Pérdidas de conducción y conmutación bajas

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