MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS6H824NLT1G, VDSS 80 V, ID 110 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 202-5749
- Nº ref. fabric.:
- NVMFS6H824NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*
36,95 €
(exc. IVA)
44,70 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 1450 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 + | 1,478 € | 36,95 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 202-5749
- Nº ref. fabric.:
- NVMFS6H824NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NVM | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 116W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5.3mm | |
| Anchura | 1.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NVM | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 116W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5.3mm | ||
Anchura 1.1 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal N de on Semiconductor funciona con 110 amperios y 80 voltios. Tiene un tamaño pequeño para un diseño compacto con baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción.
Certificación AEC Q101
En conformidad con RoHS
Sin plomo
Opción de flanco sumergible
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 5 pines
