MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS6H824NLT1G, VDSS 80 V, ID 110 A, Mejora, DFN de 8 pines

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Código RS:
202-5749
Nº ref. fabric.:
NVMFS6H824NLT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

NVM

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

116W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

52nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

1.1 mm

Altura

6.3mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal N de on Semiconductor funciona con 110 amperios y 80 voltios. Tiene un tamaño pequeño para un diseño compacto con baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción.

Certificación AEC Q101

En conformidad con RoHS

Sin plomo

Opción de flanco sumergible

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