MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 33 A, PowerDI5060, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble

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Código RS:
206-0096
Nº ref. fabric.:
DMNH6035SPDW-13
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

33A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

DMNH6035

Encapsulado

PowerDI5060

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

44mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.75V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1.05mm

Longitud

4.9mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.8 mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET DiodesZetex 60V de modo de mejora de canal N está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Su tensión de fuente de puerta es de 20 V con disipación de potencia térmica de 2,4 W.

El valor nominal de +175 °C es ideal para entornos de alta temperatura ambiente

QG bajo: Minimiza las pérdidas de conmutación

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