MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMTH4008LPDWQ-13, VDSS 40 V, ID 46.2 A, PowerDI5060, Mejora de 8 pines, 1, config.
- Código RS:
- 213-9248
- Nº ref. fabric.:
- DMTH4008LPDWQ-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,741 € | 7,41 € |
| 50 - 90 | 0,724 € | 7,24 € |
| 100 - 240 | 0,648 € | 6,48 € |
| 250 - 990 | 0,637 € | 6,37 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 213-9248
- Nº ref. fabric.:
- DMTH4008LPDWQ-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 46.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerDI5060 | |
| Serie | DMTH4008LPDWQ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0123Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39.4W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Longitud | 5.15mm | |
| Anchura | 6.4 mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 46.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerDI5060 | ||
Serie DMTH4008LPDWQ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0123Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39.4W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Longitud 5.15mm | ||
Anchura 6.4 mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
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