MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMT69M9LPDW-13, VDSS 60 V, PowerDI5060-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 246-7559
- Nº ref. fabric.:
- DMT69M9LPDW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
7,03 €
(exc. IVA)
8,51 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2500 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,703 € | 7,03 € |
| 50 - 90 | 0,69 € | 6,90 € |
| 100 - 240 | 0,51 € | 5,10 € |
| 250 - 990 | 0,497 € | 4,97 € |
| 1000 + | 0,485 € | 4,85 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 246-7559
- Nº ref. fabric.:
- DMT69M9LPDW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerDI5060-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0168Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33.5nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerDI5060-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0168Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33.5nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N dual, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado TO252. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta. Tiene un rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +150 °C.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 60 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±16 V. Ofrece una baja resistencia de conexión y una velocidad de conmutación rápida. Ofrece un flanco humedecido para mejorar la inspección óptica. Encapsulado térmicamente eficiente ideal para aplicaciones de funcionamiento más frío
Enlaces relacionados
- MOSFET DiodesZetex VDSS 60 V Mejora de 8 pines config. Doble
- MOSFET DiodesZetex VDSS 40 V PowerDI5060 1, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex VDSS 60 V PowerDI5060 1, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex VDSS 60 V PowerDI5060 1, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex VDSS 40 V PowerDI5060 1, config.
- MOSFET DiodesZetex VDSS 60 V PowerDI5060 1, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex VDSS 40 V PowerDI5060 1, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex VDSS 60 V PowerDI5060 1, config. Doble
