MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, PowerDI5060-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
246-6892
Nº ref. fabric.:
DMT69M9LPDW-13
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerDI5060-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0168Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33.5nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N dual, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado TO252. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta. Tiene un rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +150 °C.

La tensión máxima de drenaje a fuente es de 60 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±16 V. Ofrece una baja resistencia de conexión y una velocidad de conmutación rápida. Ofrece un flanco humedecido para mejorar la inspección óptica. Encapsulado térmicamente eficiente ideal para aplicaciones de funcionamiento más frío

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