MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD30N06S2L13ATMA4, VDSS 55 V, ID 30 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-4374
Nº ref. fabric.:
IPD30N06S2L13ATMA4
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.65mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.35mm

Anchura

6.42 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Este MOSFET Infineon OptiMOS proporciona alta capacidad de corriente y las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica. Se ha probado una avalancha del 100 %.

No contiene plomo

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