MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R180P7SAUMA1, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-4386
Nº ref. fabric.:
IPD60R180P7SAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

72W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.65mm

Anchura

6.42 mm

Altura

2.35mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de súper unión MOS P7 600V Cool sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

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