MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R180P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-4384
Nº ref. fabric.:
IPD60R180P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

72W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.65mm

Anchura

6.42 mm

Altura

2.35mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

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