MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT111N20NFDATMA1, VDSS 200 V, ID 96 A, Mejora, HSOF de 8 pines

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Código RS:
214-4424
Nº ref. fabric.:
IPT111N20NFDATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

96A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

HSOF

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.4mm

Anchura

10.58 mm

Longitud

10.1mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon OptiMOS 3 es una solución perfecta para aplicaciones de alta potencia donde se necesita la máxima eficiencia, excelente comportamiento EMI, así como el mejor comportamiento térmico y reducción de espacio.

Cumple con RoHS

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