MOSFET, Tipo N-Canal Infineon SN7002NH6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4476
- Nº ref. fabric.:
- SN7002NH6327XTSA2
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 200 unidades)*
4,80 €
(exc. IVA)
5,80 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4400 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | 0,024 € | 4,80 € |
| 400 - 800 | 0,023 € | 4,60 € |
| 1000 - 1800 | 0,022 € | 4,40 € |
| 2000 - 4800 | 0,021 € | 4,20 € |
| 5000 + | 0,019 € | 3,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4476
- Nº ref. fabric.:
- SN7002NH6327XTSA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 200mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 60 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.36W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, AEC Q101 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Distrelec Product Id | 304-39-427 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 200mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 60 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.36W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, AEC Q101 | ||
Estándar de automoción No | ||
Distrelec Product Id 304-39-427 | ||
Este MOSFET Infineon SIPMOS de señal pequeña es ideal para aplicaciones de automoción con limitación de espacio o no de automoción. Se pueden encontrar en casi todas las aplicaciones, por ejemplo, protección de batería, carga de batería, iluminación LED, etc.
No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines